A process for producing a printed wiring board, particularly an interposer for a chip size package, which comprises the steps of (1) forming an outer insulator layer 22 having outer via-holes 24 on a substrate 32, (2) forming conducting passages 31 through the outer via-holes 24 by plating with metal up to substantially the same level as the upper surface of the outer insulator layer 22, (3) forming a thin metal film 29 on the outer insulator layer 22 and on the conducting passages 31, (4) forming a conductor layer 21 in a prescribed circuit pattern on the thin metal film 29 by plating, (5) removing the part of the thin metal film 29 on which the conductor layer 21 is not formed, (6) forming an inner insulator layer 23 on the conductor layer 21, and (7) removing the substrate 32. The outer insulator layer is formed with flatness to secure good adhesion to a semiconductor chip.

Een proces om een gedrukte telegraferende raad, in het bijzonder een interposer voor een pakket van de spaandergrootte te produceren, dat uit de stappen van (1) het vormen van een buitenisolatielaag 22 bestaat die buiten via-gaten 24 op een substraat 32 heeft, (2) zich vormt leidend passages 31 door buiten via-gaten 24 door met metaal tot wezenlijk het zelfde niveau te plateren zoals de hogere oppervlakte van buitenisolatielaag 22, (3) vormt een dunne metaalfilm 29 op buitenisolatielaag 22 en op het leiden passages 31, (4) vormt een leiderlaag 21 in een voorgeschreven kringspatroon op dunne metaalfilm 29 door te plateren, (5) verwijderend het deel van dunne metaalfilm 29, which comprises the steps of (1) forming an outer insulator layer 22 having outer via-holes 24 on a substrate 32, (2) forming conducting passages 31 through the outer via-holes 24 by plating with metal up to substantially the same level as the upper surface of the outer insulator layer 22, (3) forming a thin metal film 29 on the outer insulator layer 22 and on the conducting passages 31, (4) forming a conductor layer 21 in a prescribed circuit pattern on the thin metal film 29 by plating, (5) removing the part of the thin metal film 29 on which the conductor layer 21 niet wordt gevormd, (6) vormt een binnenisolatielaag 23 op leiderlaag 21, en (7) verwijderend substraat 32. De buitenisolatielaag wordt gevormd met vlakheid om goede adhesie aan een halfgeleiderspaander te beveiligen.

 
Web www.patentalert.com

< Method for removing resist material

< Light pipe, plane light source unit and liquid-crystal display device

> Process for producing semiconductor wafer with adhesive film

> Sheet resin composition and process for manufacturing semiconductor device therewith

~ 00099