A semiconductor device for use in a memory cell includes an active matrix
provided with a semiconductor substrate, a plurality of transistors formed
on the semiconductor substrate and conductive plugs electrically connected
to the transistors, a number of bottom electrodes formed on top of the
conductive plugs, composite films formed on the bottom electrodes and
Al.sub.2 O.sub.3 films formed on the composite films. In the device, the
composite films are made of (Ta.sub.2 O.sub.5).sub.0.92
(TiO.sub.2).sub.0.08 by using an atomic layer deposition(ALD).
Прибора на полупроводниках для пользы в ячейкы памяти вклюает активно матрицу обеспеченную с субстратом полупроводника, множественность сформированных транзисторов на субстрате полупроводника и проводные штепсельные вилки электрически подключенные к транзисторам, нескольким нижним электродам сформированным on top of проводные штепсельные вилки, составные пленки сформированные на нижних электродах и пленках Al.sub.2 O.sub.3 сформированных на составных пленках. В приспособлении, составные пленки сделаны (Ta.sub.2 O.sub.5).sub.0.92 (TiO.sub.2).sub.0.08 путем использование атомного deposition(ALD) слоя.
