A semiconductor device is formed by providing a semiconductor substrate
comprising a strained lattice semiconductor layer at an upper surface
thereof and having a pre-selected amount of lattice therein, forming a
thin buffer/interfacial layer of a low-k dielectric material on the upper
surface of the semiconductor substrate, and forming a layer of a high-k
dielectric material on the thin buffer/interfacial layer of a low-k
dielectric material. Embodiments include forming the thin
buffer/interfacial layer and high-k layer at a minimum temperature
sufficient to effect formation of the respective dielectric layer without
incurring, or at least minimizing, strain relaxation of the strained
lattice semiconductor layer.
Μια συσκευή ημιαγωγών διαμορφώνεται με την παροχή ενός υποστρώματος ημιαγωγών περιλαμβάνοντας ένα τεντωμένο στρώμα ημιαγωγών δικτυωτού πλέγματος σε μια ανώτερη επιφάνεια επ' αυτού και έχοντας ένα επιλεγμένο εκ των προτέρων ποσό δικτυωτού πλέγματος εκεί μέσα, διαμορφώνοντας έναν λεπτό απομονωτή/ένα ενδιάμεσο στρώμα ενός διηλεκτρικού υλικού χαμηλός-Κ στην ανώτερη επιφάνεια του υποστρώματος ημιαγωγών, και διαμορφώνοντας ένα στρώμα ενός διηλεκτρικού υλικού υψηλός-Κ στο λεπτό απομονωτή/το ενδιάμεσο στρώμα ενός διηλεκτρικού υλικού χαμηλός-Κ. Οι ενσωματώσεις περιλαμβάνουν τη διαμόρφωση του λεπτού απομονωτή/του ενδιάμεσου στρώματος και του στρώματος υψηλός-Κ σε μια ελάχιστη θερμοκρασία επαρκή για να επηρεάσει το σχηματισμό του αντίστοιχου διηλεκτρικού στρώματος χωρίς να υποστούν, ή τουλάχιστον την ελαχιστοποίηση, χαλάρωση πίεσης του τεντωμένου στρώματος ημιαγωγών δικτυωτού πλέγματος.
