Formation of high-k gate dielectric layers for MOS devices fabricated on strained lattice semiconductor substrates with minimized stress relaxation

   
   

A semiconductor device is formed by providing a semiconductor substrate comprising a strained lattice semiconductor layer at an upper surface thereof and having a pre-selected amount of lattice therein, forming a thin buffer/interfacial layer of a low-k dielectric material on the upper surface of the semiconductor substrate, and forming a layer of a high-k dielectric material on the thin buffer/interfacial layer of a low-k dielectric material. Embodiments include forming the thin buffer/interfacial layer and high-k layer at a minimum temperature sufficient to effect formation of the respective dielectric layer without incurring, or at least minimizing, strain relaxation of the strained lattice semiconductor layer.

Μια συσκευή ημιαγωγών διαμορφώνεται με την παροχή ενός υποστρώματος ημιαγωγών περιλαμβάνοντας ένα τεντωμένο στρώμα ημιαγωγών δικτυωτού πλέγματος σε μια ανώτερη επιφάνεια επ' αυτού και έχοντας ένα επιλεγμένο εκ των προτέρων ποσό δικτυωτού πλέγματος εκεί μέσα, διαμορφώνοντας έναν λεπτό απομονωτή/ένα ενδιάμεσο στρώμα ενός διηλεκτρικού υλικού χαμηλός-Κ στην ανώτερη επιφάνεια του υποστρώματος ημιαγωγών, και διαμορφώνοντας ένα στρώμα ενός διηλεκτρικού υλικού υψηλός-Κ στο λεπτό απομονωτή/το ενδιάμεσο στρώμα ενός διηλεκτρικού υλικού χαμηλός-Κ. Οι ενσωματώσεις περιλαμβάνουν τη διαμόρφωση του λεπτού απομονωτή/του ενδιάμεσου στρώματος και του στρώματος υψηλός-Κ σε μια ελάχιστη θερμοκρασία επαρκή για να επηρεάσει το σχηματισμό του αντίστοιχου διηλεκτρικού στρώματος χωρίς να υποστούν, ή τουλάχιστον την ελαχιστοποίηση, χαλάρωση πίεσης του τεντωμένου στρώματος ημιαγωγών δικτυωτού πλέγματος.

 
Web www.patentalert.com

< Buried strap formation method for sub-150 nm best DRAM devices

< Lanthanide doped TiOx dielectric films

> Method of forming dielectric layers

> Semiconductor device having a capacitor with a multi-layer dielectric

~ 00128