A method of forming a dielectric layer includes placing a semiconductor
wafer in a reaction chamber. Oxygen, hafnium and silicon sources are
separately provided to the reaction chamber to react with the wafer. After
each source has reacted, a monolayer or near-monolayer film is produced.
Each source may also be provided to the reaction chamber a number of times
to achieve a film having the desired thickness.
Un método de formar una capa dieléctrica incluye la colocación de una oblea de semiconductor en un compartimiento de la reacción. Las fuentes del oxígeno, del hafnium y del silicio se proporcionan por separado al compartimiento de la reacción para reaccionar con la oblea. Después de que cada fuente haya reaccionado, se produce una película del monolayer o del cercano-near-monolayer. Cada fuente se puede también proporcionar al compartimiento de la reacción un número de veces de alcanzar una película que tiene el grueso deseado.
