A structure containing a ferroelectric material comprises a substrate such
as silicon, a buffer layer formed on the substrate, and a
non-c-axis-oriented, electrically-conductive template layer formed on the
buffer layer. The template layer comprises a perovskite oxide compound. An
epitaxially a-axis-oriented ferroelectric layer is formed on the template
layer, and has a vector of spontaneous polarization oriented perpendicular
or at least substantially perpendicular to the film normal.
Eine Struktur, die ein ferroelectric Material enthält, enthält ein Substrat wie Silikon, eine Pufferschicht, die auf dem Substrat und eine nicht-c-Mittellinie-orientierte gebildet werden, elektrisch-leitende Schablone Schicht, die auf der Pufferschicht gebildet wird. Die Schablone Schicht enthält ein Perovskiteoxidmittel. Eine Epitaxial- ein-Mittellinie-orientierte ferroelectric Schicht wird auf der Schablone Schicht gebildet, und einen Vektor des spontane Polarisation orientierten Senkrechten oder mindestens im wesentlichen senkrecht zum Film Normal hat.
