Multi-pattern data retention testing and iterative change of measurement
testing are used for the production of Known Good Dies. Multi-pattern data
testing of a memory such as an SRAM comprises writing at V.sub.dd,
reduction of V.sub.dd, restoration of V.sub.dd, reading of the memory, and
comparison of write patterns to read patterns to determine accuracy of
data retention. Iterative or change of measurement testing involves
repeated testing of a die to determine changes in Iddq, changes in
multi-pattern data retention, or other changes in chip operating
parameters. Defect activating test may be used in combination with change
of measurement testing or with multi-pattern data retention testing.
l'essai de conservation de données de Multi-modèle et le changement itératif de l'essai de mesure sont employés pour la production de bonnes matrices connues. l'essai de données de Multi-modèle d'une mémoire telle qu'un SRAM comporte l'écriture à V.sub.dd, la réduction de V.sub.dd, la restauration de V.sub.dd, lecture de la mémoire, et la comparaison de de l'inscription des modèles pour lire des modèles pour déterminer l'exactitude de la conservation de données. Itératif ou changement de l'essai de mesure comporte l'essai répété d'une matrice pour déterminer des changements d'Iddq, change dans la conservation de données de multi-modèle, ou d'autres changements des paramètres d'emploi de morceau. L'essai de déclenchement de défaut peut être employé en combination avec le changement de la mesure examinant ou avec l'essai de conservation de données de multi-modèle.
