A memory cell unit includes a first storage element and a second storage
element for storing complementary data with each other. In a selected
state, the first and second storage elements are connected to
complementary bit lines, respectively at a time. In a standby state, the
bit lines are precharged to a voltage (Vccs or GND) corresponding to the
data stored in the memory cell unit. Refresh-free, low-current-consumption
semiconductor memory device operating stably even under a low power supply
voltage can be implemented.
Μια μονάδα κυττάρων μνήμης περιλαμβάνει ένα πρώτο στοιχείο αποθήκευσης και ένα δεύτερο στοιχείο αποθήκευσης για την αποθήκευση των συμπληρωματικών στοιχείων η μια με την άλλη. Σε ένα επιλεγμένο κράτος, τα πρώτα και δεύτερα στοιχεία αποθήκευσης συνδέονται με τις συμπληρωματικές γραμμές κομματιών, αντίστοιχα σε έναν χρόνο. Σε ένα εφεδρικό κράτος, οι γραμμές κομματιών προφορτίζονται σε μια τάση (Vccs ή gnd) που αντιστοιχεί στα στοιχεία που αποθηκεύονται στη μονάδα κυττάρων μνήμης. Η συσκευή μνήμης αναζωογονώ-ελεύθερη, ημιαγωγών χαμηλός-τρέχων-κατανάλωσης που λειτουργεί σταθερά ακόμη και κάτω από μια χαμηλή τάση παροχής ηλεκτρικού ρεύματος μπορεί να εφαρμοστεί.
