There is provided a semiconductor device which includes a capacitor
including a lower electrode, a dielectric film, and an upper electrode, a
first protection film formed on the capacitor, a first wiring formed on
the first protection film, a first insulating film formed on the first
wiring, a second wiring formed on the first insulating film, a second
insulating film formed on the second wiring, and at least one of a second
protection film formed between the first insulating film and the first
wiring to cover at least the capacitor and a third protection film formed
on the second insulating film to cover the capacitor and set to an earth
potential. Accordingly, the degradation of the ferroelectric capacitor
formed under the multi-layered wiring structure can be suppressed.
Обеспечено прибора на полупроводниках вклюает конденсатор включая более низкий электрод, диэлектрическую пленку, и верхний электрод, первую пленку предохранения сформированную на конденсаторе, первой проводке сформированной на первой пленке предохранения, первой изолируя пленке сформированной на первой проводке, второй проводке сформированной на первой изолируя пленке, второй изолируя пленке сформированной на второй проводке, и по крайней мере одном второй пленки предохранения сформированной между первой изолируя пленкой и первой проводкой для того чтобы покрыть по крайней мере конденсатор и третью пленку предохранения сформированной на второй изолируя пленке для того чтобы покрыть конденсатор и установить к потенциалу земли. Соответственно, ухудшение ferroelectric конденсатора сформированного под multi-layered структурой проводки можно подавить.
