A nonvolatile ferroelectric memory device and a method for driving the same
are disclosed, the device and method devised to stabilize the operation
processes and reduce the operation time. The nonvolatile ferroelectric
memory device includes a cell array block having a plurality of unit cells
being controlled by plate lines and wordlines, a plate line driver being
positioned on one side of the cell array block to apply a driving signal
to the plate lines, a wordline driver being positioned on the other side
of the cell array block to apply a driving signal to the wordlines, a
plurality of sub bitlines and main bitlines being arranged on the cell
array block in the same direction, and switching control blocks
controlling signals applied to the sub bitlines and main bitlines.
Um dispositivo de memória ferroelectric permanente e um método para dirigir o mesmo são divulgados, o dispositivo e o método são planejados para estabilizar os processos da operação e para reduzir o tempo da operação. O dispositivo de memória ferroelectric permanente inclui um bloco da disposição de pilha que tem um plurality das pilhas da unidade que estão sendo controladas por linhas da placa e por wordlines, uma linha excitador da placa que está sendo posicionado em um lado do bloco da disposição de pilha para aplicar um sinal dirigindo às linhas da placa, um excitador do wordline que está sendo posicionado no outro lado do bloco da disposição de pilha para aplicar um sinal dirigindo aos wordlines, um plurality de bitlines secundários e dos bitlines principais que estão sendo arranjados no bloco da disposição de pilha no mesmo sentido, e comutando os sinais controlando de blocos de controle aplicados aos bitlines secundários e aos bitlines principais.
