The semiconductor device is constituted in such a manner that a switching
transistor having a drain region and a source region which are comprised
of an impurity-diffused region is formed in the surface layer portion of a
semiconductor substrate. On the semiconductor substrate containing the
transistor, a first insulation film is formed, and, at the upper layer
side of the first insulation film, a capacitor is formed. The capacitor is
comprised of a lower electrode, an inter-electrode insulation film
comprising one of ferroelectric and high-permittivity dielectric, and an
upper electrode. Before the inter-electrode insulation film is formed, a
second insulation film is formed so as to cover the side face portion of
the inter-electrode insulation film, the second insulation film protecting
the side face portion of the inter-electrode insulation film. One of the
drain region and the source region and one of the upper electrode and the
lower electrode of the capacitor are connected to each other by an
electrode wiring. A wiring connected to the other one of the drain region
and the source region is formed on the semiconductor substrate.
O dispositivo de semicondutor é constituído em tal maneira a que um transistor do switching que tem uma região do dreno e uma região da fonte que sejam compreendidas de uma região impureza-difundida é dado forma na parcela da camada de superfície de uma carcaça do semicondutor. Na carcaça do semicondutor que contem o transistor, uma primeira película da isolação é dada forma, e, no lado superior da camada da primeira película da isolação, um capacitor é dado forma. O capacitor é compreendido de um elétrodo mais baixo, de uma película da isolação do inter-electrode que compreendem um do dielétrico ferroelectric e do elevado-high-permittivity, e de um elétrodo superior. Antes que a película da isolação do inter-electrode esteja dada forma, uma segunda película da isolação está dada forma para cobrir a parcela lateral da cara da película da isolação do inter-electrode, a segunda película da isolação que protege a parcela lateral da cara da película da isolação do inter-electrode. Uma da região do dreno e da região da fonte e um do elétrodo superior e do elétrodo mais baixo do capacitor seé- conectado por uma fiação do elétrodo. Uma fiação conectou à outra da região do dreno e a região da fonte é dada forma na carcaça do semicondutor.
