A reference cell circuit for a magnetic tunnel junction MRAM includes a
first magnetic tunnel junction device set to a low resistance state and a
second magnetic tunnel junction device set to a high resistance state. A
reference cell series unit includes the first magnetic tunnel junction
device electrically coupled in series with the second magnetic tunnel
junction device. The reference cell series unit further has a first end
and a second end with the first end being electrically coupled to a first
current source and the second end being electrically coupled to a current
sink and a second current source.
Ένα κύκλωμα κυττάρων αναφοράς για μια μαγνητική σύνδεση MRAM σηράγγων περιλαμβάνει μια πρώτη μαγνητική συσκευή συνδέσεων σηράγγων καθορισμένη ένα χαμηλό κράτος αντίστασης και μια δεύτερη μαγνητική συσκευή συνδέσεων σηράγγων καθορισμένη ένα υψηλό κράτος αντίστασης. Μια μονάδα σειράς κυττάρων αναφοράς περιλαμβάνει την πρώτη μαγνητική συσκευή συνδέσεων σηράγγων που συνδέεται ηλεκτρικά στη σειρά με τη δεύτερη μαγνητική συσκευή συνδέσεων σηράγγων. Η μονάδα σειράς κυττάρων αναφοράς περαιτέρω έχει ένα πρώτο τέλος και ένα δεύτερο τέλος με το πρώτο τέλος ηλεκτρικά που συνδέονται με μια πρώτη τρέχουσα πηγή και το δεύτερο τέλος ηλεκτρικά που συνδέεται με έναν τρέχοντα νεροχύτη και μια δεύτερη τρέχουσα πηγή.
