A method for ion implantation of high dielectric constant materials with
dopants to reduce film leakage and improve resistance degradation is
disclosed. Particularly, the invention relates to ion implantation of
(Ba,Sr)TiO.sub.3 (BST) with donor dopants to reduce film leakage and
improve resistance degradation of the BST film. The invention also relates
to varying the ion implantation angle of the dopant to uniformly dope the
high dielectric constant materials when they have been fabricated over a
stepped structure. The invention also relates to integrated circuits
having a doped thin film high dielectric material used as an insulating
layer in a capacitor structure.
Un método para la implantación de ion de los altos materiales de la constante dieléctrica con los dopants para reducir salida de la película y para mejorar la degradación de la resistencia se divulga. Particularmente, la invención se relaciona con la implantación de ion de (el Ba, Sr)TiO.sub.3 (BST) con los dopants dispensadores de aceite para reducir salida de la película y para mejorar la degradación de la resistencia de la película del BST. La invención también se relaciona con variar el ángulo de la implantación de ion del dopant para dopar uniformemente los altos materiales de la constante dieléctrica cuando han sido excedente fabricado a la estructura caminada. La invención también se relaciona con los circuitos integrados que tienen un alto material dieléctrico dopado de la película fina usado como capa de aislamiento en una estructura del condensador.
