There is provided a semiconductor device having a ferroelectric capacitor,
which comprises capacitor protection films for covering an upper surface
and a side surface the ferroelectric capacitor that is formed on a first
insulating film, a hole formed in a second insulating film, which is
formed on the capacitor protection films and the first insulating film, to
be positioned adjacently to the side surface of the ferroelectric
capacitor via the capacitor protection films, and a conductive plug formed
in the hole. Accordingly, alignment margin of the contact hole to be
formed next to the capacitor can be reduced.
Er een halfgeleiderapparaat verstrekt een ferroelectric condensator hebben, wordt die uit de films van de condensatorbescherming voor het behandelen van een hogere oppervlakte en een zijoppervlakte de ferroelectric condensator bestaat die op een eerste isolerende film wordt gevormd, een gat dat in een tweede isolerende film wordt gevormd, die op de films van de condensatorbescherming en de eerste isolerende film wordt gevormd, die adjacently aan de zijoppervlakte van de ferroelectric condensator via de films van de condensatorbescherming moet worden geplaatst, en een geleidende stop die die in het gat wordt gevormd. Dienovereenkomstig, kan de groeperingsmarge van het contactgat dat naast de condensator moet worden gevormd worden verminderd.
