Semiconductor device and method for driving the same

   
   

A nonvolatile semiconductor storage element, which is provided with a floating gate electrode, and a dielectric capacitor and a ferroelectric capacitor both connected to the floating gate electrode. By applying voltage between a first polarization voltage supplying terminal and a second polarization voltage supplying terminal, polarization serving as information is generated in the ferroelectric film of the ferroelectric capacitor. Additionally, when a read-out voltage is applied between the ground terminal and the power source voltage terminal that are in connection with the source and drain regions, the MISFET is turned either on or off in correspondence to the state of the charge held in the floating gate electrode, and thus information within the floating gate electrode is read out.

Ein permanentes Halbleiterspeicherelement, das mit einer sich hin- und herbewegenden Gate-Elektrode versehen wird, und ein dielektrischer Kondensator und ein ferroelectric Kondensator beide schlossen an die sich hin- und herbewegende Gate-Elektrode an. Indem man Spannung zwischen einem erste Polarisationspannung liefernden Anschluß und einem zweite Polarisationspannung liefernden Anschluß anwendet, wird Polarisationumhüllung als Informationen im ferroelectric Film des ferroelectric Kondensators erzeugt. Zusätzlich wenn eine Anzeigespannung zwischen dem Grundanschluß und dem Energiequellespannung Anschluß angewendet wird, die in Zusammenhang mit der Quelle sind und Regionen ablassen, wird das MISFET entweder oder weg in Korrespondenz zum Zustand der Aufladung eingeschaltet, die in der sich hin- und herbewegenden Gate-Elektrode gehalten wird, und folglich werden Informationen innerhalb der sich hin- und herbewegenden Gate-Elektrode ausgelesen.

 
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< Semiconductor memory device

< Information storage apparatus and manufacturing method therefor

> Semiconductor memory and writing method and reading method for the same

> Circuit and method for implementing a write operation with TCCT-based memory cells

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