A nonvolatile semiconductor storage element, which is provided with a
floating gate electrode, and a dielectric capacitor and a ferroelectric
capacitor both connected to the floating gate electrode. By applying
voltage between a first polarization voltage supplying terminal and a
second polarization voltage supplying terminal, polarization serving as
information is generated in the ferroelectric film of the ferroelectric
capacitor. Additionally, when a read-out voltage is applied between the
ground terminal and the power source voltage terminal that are in
connection with the source and drain regions, the MISFET is turned either
on or off in correspondence to the state of the charge held in the
floating gate electrode, and thus information within the floating gate
electrode is read out.
Ein permanentes Halbleiterspeicherelement, das mit einer sich hin- und herbewegenden Gate-Elektrode versehen wird, und ein dielektrischer Kondensator und ein ferroelectric Kondensator beide schlossen an die sich hin- und herbewegende Gate-Elektrode an. Indem man Spannung zwischen einem erste Polarisationspannung liefernden Anschluß und einem zweite Polarisationspannung liefernden Anschluß anwendet, wird Polarisationumhüllung als Informationen im ferroelectric Film des ferroelectric Kondensators erzeugt. Zusätzlich wenn eine Anzeigespannung zwischen dem Grundanschluß und dem Energiequellespannung Anschluß angewendet wird, die in Zusammenhang mit der Quelle sind und Regionen ablassen, wird das MISFET entweder oder weg in Korrespondenz zum Zustand der Aufladung eingeschaltet, die in der sich hin- und herbewegenden Gate-Elektrode gehalten wird, und folglich werden Informationen innerhalb der sich hin- und herbewegenden Gate-Elektrode ausgelesen.
