The invention achieves the fine processing of an information writing
device, which includes a multilayered element obtained by stacking
ferromagnetic/semiconductor/ferromagnetic layers, without increasing the
resistivity and power consumption of the device and lowering the
reliability thereof. The invention provides an information storage
apparatus (1) having write word lines (11), bit lines (21) formed in such
a way as to intersect with the write word lines (11) at predetermined
intervals, and information storage devices (31) each comprising a
multilayered film including a magnetic layer provided in an intersection
region, in which each of the write word lines (11) intersects with an
associated one of the bit lines (21), between the write word lines (11)
and the bit lines (21). The information storage devices (31) each have a
concave portion (54), which is provided in a second insulating film (53)
formed between the write word line (11) and the bit line (21) in the
intersection region between the word line (11) and the bit line (21), and
a multilayered film including at least a magnetic layer formed in the
concave portion (54).
A invenção consegue processar fino de um dispositivo da escrita da informação, que inclua um elemento multilayered obtido por camadas de empilhamento de ferromagnetic/semiconductor/ferromagnetic, sem aumentar o consumo do resistivity e da potência do dispositivo e abaixar a confiabilidade disso. A invenção fornece um instrumento do armazenamento de informação (1) que tem escreve linhas da palavra (11), linhas que do bocado (21) dado forma em tal maneira a respeito de se cruzam com as linhas da palavra da escrita (11) em intervalos predeterminados, e dispositivos de armazenamento da informação (31) que compreendem cada uma película multilayered including uma camada magnética fornecida em uma região da interseção, em que cada uma das linhas da palavra da escrita (11) se cruza com associada das linhas do bocado (21), entre as linhas da palavra da escrita (11) e as linhas do bocado (21). Os dispositivos de armazenamento da informação (31) têm cada uma parcela côncava (54), que é fornecido em uma segunda película isolando (53) dada forma entre a linha da palavra da escrita (11) e a linha do bocado (21) na região da interseção entre a linha da palavra (11) e a linha do bocado (21), e uma película multilayered including ao menos uma camada magnética dada forma na parcela côncava (54).
