Methods and apparatus for modeling noise present in an integrated circuit
substrate are disclosed. A position on a surface of the integrated circuit
substrate is obtained. A combination of layers associated with the
position and defining a vertical column beneath the position is
ascertained. A doping profile associated with the combination of layers is
obtained. The doping profile includes a plurality of portions, each of
which is associated with a different range of substrate depth. Noise in
the integrated circuit substrate is then modeled using the obtained doping
profile.
Methoden und Apparate für das Modellieren der Geräusche, die in einem Schaltungsubstrat vorhanden sind, werden freigegeben. Eine Position auf einer Oberfläche des Schaltungsubstrates wird erreicht. Eine Kombination der Schichten, die mit der Position und dem Definieren einer vertikalen Spalte unter der Position verbunden sind, wird ermittelt. Ein Dotierungsprofil, das mit der Kombination von Schichten verbunden ist, wird erreicht. Das Dotierungsprofil schließt eine Mehrzahl der Teile ein, von denen jeder mit einer anderen Strecke der Substrattiefe ist. Geräusche im Schaltungsubstrat werden dann mit dem erreichten Dotierungsprofil modelliert.
