An optical semiconductor device having a low threshold current and easiness
of a single transverse mode oscillation is provided. The optical
semiconductor device has a low device parasitic capacitance that allows a
direct modulation at high speed.
The optical semiconductor device comprises a first conduction type
substrate, a stripe shaped active layer formed on the first conduction
type substrate, a mesa shaped burying layer formed around the active layer
and having a larger band gap than that of the active layer, and a groove
that electrically isolates the burying layer, wherein the section of the
burying layer is in an inverse trapezoid shape of which the upper base
side is longer than the lower base side.
Un dispositif de semi-conducteur optique ayant un bas courant de seuil et facilité d'une oscillation simple de mode transversal est fourni. Le dispositif de semi-conducteur optique a une capacité parasite de bas dispositif qui permet une modulation directe à la grande vitesse. Le dispositif de semi-conducteur optique comporte un premier type de conduction substrat, une couche active formée par raie formée sur le premier type substrat de conduction, un MESA formé enterrant la couche formée autour de la couche active et ayant un plus grand espace de bande que cela de la couche active, et une cannelure qui isole électriquement la couche enterrante, où la section de la couche enterrante est dans une forme inverse de trapèze de laquelle le côté bas supérieur est plus long que le côté bas inférieur.
