Silicon carbide films are grown by carburization of silicon to form
insulative films. In one embodiment, the film is used to provide a gate
insulator for a field effect transistor. The film is grown in a
microwave-plasma-enhanced chemical vapor deposition (MPECVD) system. A
silicon substrate is first etched in dilute HF solution and rinsed. The
substrate is then placed in a reactor chamber of the MPECVD system in
hydrogen along with a carbon containing gas. The substrate is then
inserted into a microwave generated plasma for a desired time to grow the
film. The microwave power varies depending on substrate size. The growth
of the film may be continued following formation of an initial film via
the above process by using a standard CVD deposition of amorphous SiC. The
film may be used to form gate insulators for FET transistors in DRAM
devices and flash type memories. It may be formed as dielectric layers in
capacitors in the same manner.
Las películas del carburo del silicio son crecidas por la carburación del silicio para formar las películas insulative. En una encarnación, la película se utiliza para proporcionar un aislador de la puerta para un transistor de efecto de campo. La película se crece en un sistema microonda-plasma-realzado de la deposición de vapor químico (MPECVD). Un substrato del silicio primero se graba al agua fuerte en la solución diluída del HF y se aclara. El substrato entonces se coloca en un compartimiento del reactor del sistema de MPECVD en hidrógeno junto con un carbón que contiene el gas. El substrato entonces se inserta en un plasma generada microonda por un tiempo deseado para crecer la película. La energía de la microonda varía dependiendo de tamaño del substrato. El crecimiento de la película se puede continuar después de la formación de una película inicial vía el proceso antedicho usando una deposición estándar del CVD de SiC amorfo. La película se puede utilizar para formar los aisladores de la puerta para los transistores del FET en los dispositivos y el tipo de destello memorias de la COPITA. Puede ser formada como capas dieléctricas en condensadores de manera semejante.
