A manufacturing method for a semiconductor device is provided with the
steps of: semi-full dicing a semiconductor wafer so as to leave a dicing
residual portion with a predetermined thickness between devices on the
semiconductor wafer; forming a protective layer having a chemical etching
resistant property on an element formation face of the semiconductor
wafer; chemically etching the semiconductor wafer having the protective
layer formed on the element formation face from the rear face side so as
to polish the rear face of the semiconductor water, so as to remove the
dicing residual portion to divide the semiconductor wafer into individual
semiconductor chips, and so as to remove damaged areas in a cut face of
the semiconductor wafer resulted from the semi-full dicing process. Thus,
it becomes possible to reduce the number of processes, and also to carry
out a polishing process and a dicing process safely without giving damages
to the semiconductor wafer and without causing cracks and chips therein.
Une méthode de fabrication pour un dispositif de semi-conducteur est équipée d'étapes de : semi-finale-full découpant une gaufrette de semi-conducteur afin de laisser une partie résiduelle découpante avec une épaisseur prédéterminée entre les dispositifs sur la gaufrette de semi-conducteur ; formant une couche protectrice ayant une propriété résistante gravure à l'eau-forte chimique sur un visage de formation d'élément de la gaufrette de semi-conducteur ; chimiquement graver à l'eau-forte de la gaufrette de semi-conducteur ayant la couche protectrice formée sur le visage de formation d'élément du côté front arrière afin de polir le visage arrière de l'eau de semi-conducteur, afin d'enlever la partie résiduelle découpante pour diviser la gaufrette de semi-conducteur en différents morceaux de semi-conducteur, et afin d'enlever ait endommagé des secteurs dans un visage de coupe de la gaufrette de semi-conducteur a résulté du processus découpant de semi-finale-full. Ainsi, il devient possible de réduire le nombre de processus, et de suivre également un processus de polissage et un processus découpant sans risque sans donner des dommages à la gaufrette de semi-conducteur et sans causer des fissures et des morceaux là-dedans.
