To a provide a method of forming a layered film of a silicon nitride film
and a silicon oxide film on a glass substrate in a short time without
requiring a plurality of film deposition chambers. In a thin film
transistor, a layered film including a silicon nitride oxide film (12) is
formed between a semiconductor layer (13) and a substrate (11) using the
same chamber. The silicon nitride oxide film has a continuously changing
composition ration of nitrogen or oxygen. An electric characteristic of
the TFT is thus improved.
Ad un forn un metodo di formare una pellicola fatta uno strato di di una pellicola del nitruro di silicio e di una pellicola dell'ossido del silicone su un substrato di vetro in poco tempo senza richiedere una pluralità di alloggiamenti di deposito della pellicola. In un transistore della pellicola sottile, una pellicola fatta uno strato di compreso una pellicola dell'ossido del nitruro di silicio (12) è formata fra uno strato a semiconduttore (13) e un substrato (11) usando lo stesso alloggiamento. La pellicola dell'ossido del nitruro di silicio ha una razione continuamente cambiante della composizione di azoto o di ossigeno. Una caratteristica elettrica del TFT è migliorata così.
