A semiconductor device includes TFTs designed in accordance with
characteristics of circuits. In a first structure of the invention, the
TFT is formed by using a crystalline silicon film made of a unique crystal
structure body. The crystal structure body has a structure in which
rod-like or flattened rod-like crystals grow in a direction parallel to
each other. In a second structure of the invention, growth distances of
lateral growth regions are made different from each other in accordance
with channel lengths of the TFTs. By this, characteristics of TFTs formed
in one lateral growth region can be made as uniform as possible.
Прибора на полупроводниках вклюает TFTs конструированное в соответствии с характеристиками цепей. В первой структуре вымысла, TFT сформировано путем использование кристаллической пленки кремния сделанной уникально тела кристаллической структуры. _ crystal кристаллическ тел иметь структур в котор штанг-kak или сплющивать штанг-kak кристалл расти в направлени parallel to each other. В второй структуре вымысла, расстояния роста боковых зон роста сделаны отличающимся от в соответствии с длинами канала TFTs. этим, характеристики TFTs сформированные в одной боковой зоне роста могут быть сделаны как можно равномерным.
