In a wafer having an LD structure 251 formed on a GaN-based substrate 250,
cleavage guide grooves 252 are formed in its surface by scribing from
above the LD structure 251 with a diamond needle. The cleavage guide
grooves 252 are formed one along each of stripe-shaped waveguides 253
formed parallel to the <1-100>direction of the wafer, and are formed
in the shape of broken lines in the <11-20>direction of the wafer.
In een wafeltje dat een structuur 251 heeft van LD die op een op gaN-Gebaseerd substraat 250 wordt gevormd, worden groeven 252 van de splijtengids gevormd in zijn oppervlakte door van boven structuur 251 van LD met een diamantnaald te ritsen. De splijtengids groeft 252 is gevormde langs elk van streep-vormige golfgeleiders 253 gevormde parallel aan de richting van het wafeltje, en wordt gevormd in de vorm van gebroken lijnen in de richting van het wafeltje.
