A light-emitting semiconductor device includes a stack of layers including
an active region. The active region includes a semiconductor selected from
the group consisting of III-Phosphides, III-Arsenides, and alloys thereof.
A superstrate substantially transparent to light emitted by the active
region is disposed on a first side of the stack. First and second
electrical contacts electrically coupled to apply a voltage across the
active region are disposed on a second side of the stack opposite to the
first side. In some embodiments, a larger fraction of light emitted by the
active region exits the stack through the first side than through the
second side. Consequently, the light-emitting semiconductor device may be
advantageously mounted as a flip chip to a submount, for example.
Un dispositivo de semiconductor luminescente incluye un apilado de capas incluyendo una región activa. La región activa incluye un semiconductor seleccionado de los III-iII-Phosphides, de los III-Arseniuros, y de las aleaciones que consisten en del grupo de eso. Un superstrate substancialmente transparente a la luz emitida por la región activa se dispone en un primer lado del apilado. Los contactos primero y en segundo lugar eléctricos juntados eléctricamente para aplicar un voltaje a través de la región activa se disponen en un segundo lado del apilado opuesto al primer lado. En algunas encarnaciones, una fracción más grande de la luz emitida por la región activa sale del apilado a través del primer lado que a través del segundo lado. Por lo tanto, el dispositivo de semiconductor luminescente se puede montar ventajoso como viruta del tirón a un submount, por ejemplo.
