Magnetic random access memory

   
   

A data selection line (write line) is disposed right on a MTJ element. Upper and side surfaces of the data selection line are coated with yoke materials which have a high permeability. The yoke materials are separated from each other by a barrier layer. Similarly, a write word line is disposed right under the MTJ element. The lower and side surfaces of the write word line are also coated with the yoke materials which have the high permeability. The yoke materials on the lower and side surfaces of the write word line are also separated from each other by the barrier layer.

Μια γραμμή επιλογής στοιχείων (γράψτε τη γραμμή) διατίθεται δεξιά σε ένα στοιχείο MTJ. Οι ανώτερες και δευτερεύουσες επιφάνειες της γραμμής επιλογής στοιχείων είναι ντυμένες με τα υλικά ζυγών που έχουν μια υψηλή διαπερατότητα. Τα υλικά ζυγών χωρίζονται το ένα από το άλλο από ένα στρώμα εμποδίων. Ομοίως, γράψτε η γραμμή ότι λέξης διατίθεται δεξιά κάτω από το στοιχείο MTJ. Οι χαμηλότερες και δευτερεύουσες επιφάνειες γράφουν η γραμμή ότι λέξης είναι επίσης ντυμένη με τα υλικά ζυγών που έχουν την υψηλή διαπερατότητα. Τα υλικά ζυγών στις χαμηλότερες και δευτερεύουσες επιφάνειες γράφουν η γραμμή ότι λέξης χωρίζεται επίσης το ένα από το άλλο από το στρώμα εμποδίων.

 
Web www.patentalert.com

< System and method for data synchronization for a computer architecture for broadband networks

< Magnetoresistive random access memory device

> Memory device capable of stable data writing

> Semiconductor memory device reading data based on memory cell passing current during access

~ 00113