Semiconductor memory device reading data based on memory cell passing current during access

   
   

A data read circuit produces read data in accordance with a difference between currents flowing through first and second nodes, respectively. In a data read operation, a current transmitting circuit and a reference current generating circuit pass an access current corresponding to a passing current of a selected memory cell and a predetermined reference current through first and second nodes, respectively. In a test mode, a current switching circuit passes equal test currents through the first and second nodes instead of the access current and the reference current, respectively. Thereby, offset of the current sense amplifier in the data read circuit can be evaluated.

Een gegevens gelezen kring produceert gelezen gegevens overeenkomstig een verschil tussen stromen vloeien door eerst en tweede knopen die, respectievelijk. In een gegevens gelezen verrichting, gaan een huidige overbrengende kring en een verwijzings huidige producerende kring toegang het huidige beantwoorden aan een voorbijgaande stroom van een geselecteerde geheugencel en een vooraf bepaalde verwijzingsstroom door over eerst en tweede knopen, respectievelijk. Op een testwijze, gaat een huidige omschakelingskring gelijke teststromen door de eerste en tweede knopen in plaats van de toegangsstroom en de verwijzingsstroom over, respectievelijk. Daardoor, kan de compensatie van de huidige betekenisversterker in de gegevens gelezen kring worden geƫvalueerd.

 
Web www.patentalert.com

< Magnetic random access memory

< Memory device capable of stable data writing

> Magnetoresistive memory for a complex programmable logic device

> Storage system using fast storage devices for storing redundant data

~ 00131