There is described an organic thin-film transistor fabricated on a
substrate. The organic thin-film transistor includes a first insulating
layer formed on the substrate; an organic semiconductor layer formed on
the first insulating layer; a second insulating layer formed on the
organic semiconductor layer; a first through-hole bored through the second
insulating layer; a second through-hole bored through the second
insulating layer; a source electrode embedded in the first through-hole, a
depth of which is equal to or greater than a thickness of the second
insulating layer so that the source electrode contacts the organic
semiconductor layer; a drain electrode embedded in the second
through-hole, a depth of which is equal to or greater than a thickness of
the second insulating layer so that the drain electrode contacts the
organic semiconductor layer; and a gate electrode embedded in the first
insulating layer.
É descrito um transistor thin-film orgânico fabricado em uma carcaça. O transistor thin-film orgânico inclui uma primeira camada isolando dada forma na carcaça; uma camada orgânica do semicondutor deu forma na primeira camada isolando; uma segunda camada isolando deu forma na camada orgânica do semicondutor; um primeiro através-furo furou com a segunda camada isolando; um segundo através-furo furou com a segunda camada isolando; um elétrodo da fonte encaixado no primeiro através-furo, uma profundidade de que é igual ou mais grande do que uma espessura da segunda camada isolando de modo que o elétrodo da fonte contate a camada orgânica do semicondutor; um elétrodo do dreno encaixado no segundo através-furo, uma profundidade de que é igual ou mais grande do que uma espessura da segunda camada isolando de modo que o elétrodo do dreno contate a camada orgânica do semicondutor; e um elétrodo de porta encaixado na primeira camada isolando.
