A technique to perform an operation (e.g., erase, program, or read) on
memory cells (105) is to apply an operating voltage dynamically to the
gates (111, 113) of the memory cells, rather than a continuous operating
voltage. This reduces the power consumed during the operation. Dynamic
operation or background operation such as background erase also permits
other operations, such as read, program, or erase, to occur while the
selected memory cells are operated on. This improves the operational speed
of an integrated circuit using dynamic operation compared to a continuous
operation.
Eine Technik, zum eines Betriebes (z.B., löschen, programmieren oder lesen) auf Speicherzellen (105) durchzuführen soll eine funktionierende Spannung auf die Gatter (111, 113) der Speicherzellen, anstatt eine ununterbrochene funktionierende Spannung dynamisch zutreffen. Dieses verringert die Energie, die während des Betriebes verbraucht wird. Dynamischer Betrieb oder Hintergrundbetrieb wie Hintergrund löschen ermöglicht auch andere Betriebe, wie gelesen, Programm oder löscht, um aufzutreten während die vorgewählten Speicherzellen an bearbeitet werden. Dieses verbessert die funktionsfähige Geschwindigkeit einer integrierten Schaltung mit dem dynamischen Betrieb, der mit einem Dauerbetrieb verglichen wird.
