Disclosed is a technique capable of reducing the manufacturing time of a
photomask. In a method of transferring a predetermined pattern onto a
semiconductor wafer by reduced projection exposure using a product mask
manufactured by performing the reduced projection exposure to a pattern of
an IP mask Mm1, the IP mask Mm1 is designed to have a resist mask
structure in which a light-shielding pattern thereof is constituted of an
organic film such as a resist film.
É divulgada uma técnica capaz de reduzir a época do manufacturing de um photomask. Em um método de transferir um teste padrão predeterminado em um wafer de semicondutor pela exposição reduzida da projeção usando uma máscara do produto manufaturada executando a exposição reduzida da projeção a um teste padrão de uma máscara Mm1 do IP, a máscara Mm1 do IP é projetada ter uma estrutura da máscara resistir em que um teste padrão luz-protegendo disso é constituído de uma película orgânica tal como uma película resistir.
