On a silicon substrate 201, there are formed a silicon oxide 202, an
adhesion layer 203 consisting of TiO.sub.2, a lower electrode 204
consisting of Pt, a ferroelectric thin film 205, and an upper electrode
206 consisting of Pt. A portion of the ferroelectric thin film adjacent to
the upper electrode 206 is formed from a compound with a composition
formula of SrBi.sub.2 (Ta.sub.x Nb.sub.1-x).sub.2 O.sub.9 where x=0.7. A
compound with a value x in the composition formula being greater than 0.7
is used for the portion of the ferroelectric thin film adjacent to the
upper electrode 206, so as to generate an appropriate number of grain
boundaries on the surface of the ferroelectric film 205, the grain
boundaries enabling implementation of anchoring effect between the
ferroelectric film 205 and the upper electrode 206, thereby achieving
prevention of exfoliation of the upper electrode 206 from the
ferroelectric film 205. Therefore, the semiconductor memory device is free
from exfoliation of the upper electrode film from the dielectric film and
has a good yield.
Op een siliciumsubstraat 201, er gevormd een siliciumoxyde 202, een adhesielaag 203 uit TiO.sub.2 bestaan, een lagere elektrode 204 uit PT bestaan, een ferroelectric dunne film 205, en een hogere elektrode 206 die uit PT bestaan worden. Een gedeelte van de ferroelectric dunne film naast hogere elektrode 206 wordt gevormd van een samenstelling met een samenstellingsformule van SrBi.sub.2 (Ta.sub.x Nb.sub.1-x).sub.2 O.sub.9 waar x=0.7. Een samenstelling met een waarde x in de is wordt samenstellingsformule die groter dan 0,7 gebruikt voor het gedeelte van de ferroelectric dunne film naast hogere elektrode 206, om een aangewezen aantal korrelgrenzen op de oppervlakte van ferroelectric film 205, de korrelgrenzen te produceren toelatend implementatie van het verankeren van effect tussen ferroelectric film 205 en hogere elektrode 206, daardoor bereikend preventie van afschilfering van hogere elektrode 206 van ferroelectric film 205, Daarom is het apparaat van het halfgeleidergeheugen van hogere elektrode heeft de film van de diëlektrische film en een goede opbrengst.
