A hybrid memory device combines a ferromagnetic layer and a Hall Effect
device. The ferromagnetic layer is magnetically coupled to a portion of a
Hall plate, and when such plate is appropriately biased, a Hall Effect
signal can be generated whose value is directly related to the
magnetization state of the ferromagnetic layer. The magnetization state of
the ferromagnetic layer can be set to correspond to different values of a
data item to be stored in the hybrid memory device. The magnetization
state is non-volatile, and a write circuit can be coupled to the
ferromagnetic layer to reset or change the magnetization state to a
different value. The write circuit uses a pair of inductively coupled
write wires in each row and column, which are each given a signal with an
amplitude approximately 1/2 of that required to change the state of the
ferromagnetic layer. Thus, the field produced by two write wires at a
single element is adequate to orient the magnetization vector M of the
ferromagnetic film, but the field produced by a single write wire at any
other element is not sufficient to alter the magnetization state of the
ferromagnetic film of that element.
Een hybride geheugenapparaat combineert een ferromagnetische laag en een apparaat van het Effect van de Zaal. De ferromagnetische laag wordt magnetisch gekoppeld aan een gedeelte van een plaat van de Zaal, en wanneer dergelijke plaat geschikt wordt beïnvloed, kan een signaal van het Effect van de Zaal worden geproduceerd de waarvan waarde met de magnetiseringsstaat van de ferromagnetische laag direct verwant is. De magnetiseringsstaat van de ferromagnetische laag kan worden geplaatst om aan verschillende waarden van een gegevensonderdeel te beantwoorden dat in het hybride geheugenapparaat moet worden opgeslagen. De magnetiseringsstaat is niet-vluchtig, en schrijf de kring aan de ferromagnetische laag kan worden gekoppeld om de magnetiseringsstaat terug te stellen of te veranderen in een verschillende waarde. Schrijf de kring een paar van inductief gekoppeld schrijft draden in elke rij en kolom gebruikt, die elk een signaal met een omvang ongeveer 1/2 van dat vereist worden gegeven om de staat van de ferromagnetische laag te veranderen. Aldus, schrijft het gebied dat door twee wordt veroorzaakt de draden bij één enkel element adequaat is om de magnetisering vectorm van de ferromagnetische film te oriënteren, maar het gebied dat door enig wordt veroorzaakt schrijft de draad bij een ander element niet volstaat om de magnetiseringsstaat van de ferromagnetische film van dat element te veranderen.
