A magnetic sensor which comprises (1) a supporting substrate, (2) a
ferromagnetic tunnel junction element which has a first magnetic layer on
the supporting substrate, a tunnel insulation layer on the first magnetic
layer, the tunnel insulation layer comprising aluminum oxide obtained by
oxidizing an aluminum film formed on the first magnetic layer by
sputtering using an aluminum target having a purity of 99.999% or more,
and a second magnetic layer on the tunnel insulation layer, and (3) a
converter element converting a change in a magnetic field to a change in
resistance. Alternatively, as the ferromagnetic tunnel junction element of
(2), one whose tunnel junction has a voltage-resistance characteristic
which is asymmetric in the direction of the applied voltage is used. The
asymmetric voltage-resistance characteristic may be obtained by heat
treatment of a film of the insulation layer material, changing a partial
pressure of oxygen in an atmosphere for the formation of insulation layer
of an oxide, use of two or more target material for the formation of film
and a moving substrate, and the like.
Une sonde magnétique qui comporte (1) un substrat de support, (2) un élément ferromagnétique de jonction de tunnel qui a une première couche magnétique sur le substrat de support, une couche d'isolation de tunnel sur la première couche magnétique, la couche d'isolation de tunnel comportant l'oxyde d'aluminium a obtenu en oxydant un film en aluminium formé sur la première couche magnétique par la pulvérisation en utilisant une cible en aluminium ayant une pureté de 99.999% ou plus, et une deuxième couche magnétique sur la couche d'isolation de tunnel, et (3) un élément de convertisseur convertissant un changement d'un champ magnétique en changement de résistance. Alternativement, comme élément ferromagnétique de jonction de tunnel de (2), un dont la jonction de tunnel a une caractéristique de tension-résistance qui est asymétrique dans la direction de la tension appliquée est employé. La caractéristique asymétrique de tension-résistance peut être obtenue par traitement thermique d'un film du matériel de couche d'isolation, changeant une pression partielle de l'oxygène dans une atmosphère pour la formation d'une couche d'isolation d'un oxyde, utilisation de deux matériels ou plus de cible pour la formation du film et un substrat mobile, et semblables.
