In a memory module having a designated group of memory cells assigned to
represent a logical portion of the memory structure, a memory redundancy
circuit having a redundant group of memory cells; and a redundancy
controller coupled with the designated group and the redundant group. The
redundancy controller, which can include a redundancy decoder, assigns the
redundant group to the logical portion of the memory structure in response
to a preselected memory group condition, e.g., a "FAILED" memory group
condition. The redundancy controller also can include selectable switches,
for example, fuses, which can encode the preselected memory group
condition. The designated group of memory cells and the redundant group of
memory cells can be a memory row, a memory column, a preselected portion
of a memory module, a selectable portion of a memory module, a memory
module, or a combination thereof.
Em um módulo da memória que tem um grupo designado das pilhas de memória atribuídas para representar uma parcela lógica da estrutura de memória, um circuito da redundância da memória que tem um grupo redundante de pilhas de memória; e um controlador da redundância acoplado com o grupo designado e o grupo redundante. O controlador da redundância, que pode incluir um decodificador da redundância, atribui o grupo redundante à parcela lógica da estrutura de memória em resposta a uma condição preselected do grupo da memória, por exemplo, uma condição "FALHADA" do grupo da memória. O controlador da redundância também pode incluir os interruptores selecionáveis, para o exemplo, os fusíveis, que podem codificar a condição preselected do grupo da memória. O grupo designado de pilhas de memória e o grupo redundante de pilhas de memória podem ser uma fileira da memória, uma coluna da memória, uma parcela preselected de um módulo da memória, uma parcela selecionável de um módulo da memória, de um módulo da memória, ou de uma combinação disso.
