A memory transistor has a pair of separate floating gates overlying end
regions of a channel and a control gate that overlies the floating gates
and a central region of the channel. The memory transistor effectively
operates as a pair of floating gate transistors with an intervening select
transistor. Each floating gate can be charged to store a distinct binary,
analog, or multi-bit value. The direction of the channel current controls
which floating gate receives channel hot electron injection during
programming and which floating gate state is sensed during reading. A read
operation biases the word line higher that the threshold voltage used to
store data and compares the resulting channel to reference currents to
identify a stored binary, analog, or multi-bit value. The threshold
voltage range can include negative threshold voltages, which increases the
available range for multi-bit-per-floating gate storage. The memory
transistors can be integrated into a contactless array architecture having
approximately one global bit/virtual ground line for every four floating
gates along a row.
Μια κρυσταλλολυχνία μνήμης έχει ένα ζευγάρι των χωριστών επιπλεουσών πυλών που επικαλύπτουν τις περιοχές τελών ενός καναλιού και μιας πύλης ελέγχου που επικαλύπτει τις επιπλέουσες πύλες και μια κεντρική περιοχή του καναλιού. Η κρυσταλλολυχνία μνήμης λειτουργεί αποτελεσματικά ως ζευγάρι των επιπλεουσών κρυσταλλολυχνιών πυλών με μια να επεμβει επίλεκτη κρυσταλλολυχνία. Κάθε επιπλέουσα πύλη μπορεί να ανατεθεί για να αποθηκεύσει ένα ευδιάκριτη δυαδικό, ένα ανάλογο, ή μια αξία πολυ-κομματιών. Η κατεύθυνση των τρεχόντων ελέγχων καναλιών που η επιπλέουσα πύλη λαμβάνει την καυτή έγχυση ηλεκτρονίων καναλιών κατά τη διάρκεια του προγραμματισμού και που επιπλέον κράτος πυλών αισθάνεται κατά τη διάρκεια της ανάγνωσης. Μια διαβασμένη λειτουργία προκαταλαμβάνει τη γραμμή λέξης υψηλότερη ότι η τάση κατώτατων ορίων που χρησιμοποιείται για να αποθηκεύσει τα στοιχεία και συγκρίνει το προκύπτον κανάλι με τα ρεύματα αναφοράς για να προσδιορίσει ένα αποθηκευμένη δυαδικό, ένα ανάλογο, ή μια αξία πολυ-κομματιών. Η σειρά τάσης κατώτατων ορίων μπορεί να περιλάβει τις αρνητικές τάσεις κατώτατων ορίων, το οποίο αυξάνει τη διαθέσιμη σειρά για να πολυ-κομμάτι-ανά-επιπλεύσει την αποθήκευση πυλών. Οι κρυσταλλολυχνίες μνήμης μπορούν να ενσωματωθούν σε μια ανέπαφη αρχιτεκτονική σειράς που έχει περίπου ένα σφαιρικό μπιτ/την εικονική επίγεια γραμμή για κάθε τέσσερις επιπλέουσες πύλες κατά μήκος μιας σειράς.
