Column repair circuit in ferroelectric memory

   
   

A column repair circuit in a non-volatile ferroelectric memory having main columns and redundancy columns includes a data input/output buffer part for data input/output between the non-volatile ferroelectric memory and an external circuit, a failed column coding part for controlling the main columns and the redundancy columns and connected in response to a failed column address signal to one of main input/output lines in the input/output buffer part and redundancy input/output lines, a repair column adjusting circuit part connected to the failed column coding part for providing a redundancy mode control signal, a data bus amplifying part for amplifying data between the main input/output lines and the main columns to control read/write operation, and a redundancy data bus amplifying part for amplifying data between the redundancy input/output lines and the redundancy columns in response to the redundancy mode control signal.

Um circuito do reparo da coluna em uma memória ferroelectric permanente que tem colunas principais e colunas da redundância inclui uma peça do amortecedor do input/output dos dados para o input/output dos dados entre a memória ferroelectric permanente e um circuito externo, uma peça falhada do coding da coluna para controlar as colunas principais e as colunas da redundância e conectou-a em resposta a um sinal falhado do endereço de coluna a uma de linhas principais do input/output nas linhas do input/output da peça e da redundância do amortecedor do input/output, uma coluna do reparo que ajusta a peça do circuito conectada à peça falhada do coding da coluna para fornecer um sinal de controle da modalidade da redundância, uma peça de amplificação da barra-ônibus de dados para dados de amplificação entre as linhas do input/output do cano principal e as colunas principais à operação de leitura/gravação do controle, e uma redundância peça de amplificação da barra-ônibus de dados para dados de amplificação entre as linhas do input/output da redundância e as colunas da redundância em resposta ao sinal de controle da modalidade da redundância.

 
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< Random access memory device and method for driving a plate line segment therein

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