A random access memory device includes a number of memory cells, with word
lines, plate lines, and bit lines coupled to the memory cells. A switch,
controlled by a word line, couples one end of the plate line to a first
global plate line, while another switch, controlled by a second global
plate line, couples the one end of the plate line to a reference voltage.
The plate lines are charged by the first global plate line, which improves
operational speed of the device and reduces loading of the word lines.
Un dispositif de mémoire à accès sélective inclut un certain nombre de cellules de mémoire, avec le mot raye, plat raye, et a mordu des lignes couplées aux cellules de mémoire. Un commutateur, commandé par une ligne de mot, couple une extrémité de la ligne de plat à une première ligne globale de plat, alors qu'un autre commutateur, commandé par une deuxième ligne globale de plat, couples l'une extrémité de la ligne de plat à une tension de référence. Les lignes de plat sont chargées par la première ligne globale de plat, qui améliore la vitesse opérationnelle du dispositif et réduit le chargement des lignes de mot.
