It is an object of the present invention to control the crystal orientation
of a ferroelectric thin film as dictated by the application of a
ferroelectric thin film device. To accomplished the stated object, a
bottom electrode containing at least iridium is formed over a surface
preparation layer whose main component is zirconium oxide, and an
ultra-thin titanium layer is laminated over the bottom electrode. An
amorphous layer containing the elemental metal and elemental oxygen that
constitute the ferroelectric is formed over the titanium layer, and a
crystallized ferroelectric thin film is formed by heat treating this
amorphous layer. If the thickness of the titanium layer is kept between 2
nm and 10 nm in the lamination thereof, the ferroelectric thin film will
have a priority orientation of (100), and if it is kept between 10 nm and
20 nm, the ferroelectric thin film will have a priority orientation of
(111).
È un oggetto di presente invenzione per controllare l'orientamento di cristallo di una pellicola sottile ferroelectric come dettato dall'applicazione di un dispositivo ferroelectric della pellicola sottile. A ha compiuto l'oggetto dichiarato, un elettrodo inferiore che contiene almeno l'iridio è formato sopra uno strato della preparazione di superficie di cui il componente principale è ossido dello zirconio e uno strato di titanio ultrasottile è laminato sopra l'elettrodo inferiore. Uno strato amorfo che contiene il metallo elementare e l'ossigeno elementare che costituiscono il ferroelectric è formato sopra lo strato di titanio e una pellicola sottile ferroelectric cristallizzata è costituito da calore che tratta questo strato amorfo. Se lo spessore dello strato di titanio è mantenuto fra 2 nm e 10 nm nella laminazione di ciò, la pellicola sottile ferroelectric avrà un orientamento di priorità di (100) e se è mantenuta fra 10 nm e 20 nm, la pellicola sottile ferroelectric avrà un orientamento di priorità di (111).
