This invention relates to MRAM technology and new variations on MRAM array
architecture to incorporate certain advantages from both cross-point and
1T-1MTJ architectures. The fast read-time and higher signal-to-noise ratio
of the 1T-1MTJ architecture and the higher packing density of the
cross-point architecture are both exploited by combining certain
characteristics of these layouts. A single access transistor 16 is used to
read the multiple MRAM cells in a segment of a column, which can be
stacked vertically above one another in a plurality of MRAM array layers
arranged in a "Z" axis direction.
Αυτή η εφεύρεση αφορά την τεχνολογία MRAM και τις νέες παραλλαγές στην αρχιτεκτονική σειράς MRAM για να ενσωματώσει ορισμένα πλεονεκτήματα και από τη διασταύρωση και από τις αρχιτεκτονικές 1T-1MTJ. Ο γρήγορος καλληεργημένος-χρόνος και η υψηλότερη σήματος προς θόρυβο αναλογία της αρχιτεκτονικής 1T-1MTJ και της υψηλότερης πυκνότητας συσκευασίας της αρχιτεκτονικής διασταυρώσεων και οι δύο χρησιμοποιούνται με το συνδυασμό ορισμένων χαρακτηριστικών αυτών των σχεδιαγραμμάτων. Μια ενιαία κρυσταλλολυχνία 16 πρόσβασης χρησιμοποιείται για να διαβάσει τα πολλαπλάσια κύτταρα MRAM σε ένα τμήμα μιας στήλης, η οποία μπορεί να συσσωρευθεί κάθετα επάνω από το ένα άλλη σε μια πολλαπλότητα των στρωμάτων σειράς MRAM που τακτοποιούνται σε μια κατεύθυνση άξονα "ζ".
