A new method of forming a composite etching stop layer is described. An
etching stop layer is deposited on a substrate wherein the etching stop
layer is selected from the group consisting of: silicon carbide, silicon
nitride, SiCN, SiOC, and SiOCN. A TEOS oxide layer is deposited by
plasma-enhanced chemical vapor deposition overlying the etching stop
layer. The composite etching stop layer has improved moisture resistance,
better etching selectivity, and lower dielectric constant than other
etching stop layers.
Un nuovo metodo di formare uno strato composito di arresto acquaforte è descritto. Uno strato di arresto acquaforte è depositato su un substrato in cui lo strato di arresto acquaforte è scelto dal consistere del gruppo: carburo del silicone, nitruro di silicio, SiCN, SiOC e SiOCN. Uno strato dell'ossido di TEOS è depositato tramite il deposito di vapore chimico plasma-aumentato che ricopre lo strato di arresto acquaforte. Lo strato composito di arresto acquaforte ha migliorato la resistenza dell'umidità, la selettività migliore acquaforte ed il costante dielettrico più basso che altri strati di arresto acquaforte.
