A new Inter Poly Dielectric (IPD) layer is provided for use in creating
ultra-small gate electrodes. A first and a second high-k dielectric film
are provided which remain amorphous at relatively high processing
temperatures. The first high-k dielectric film is of Al.sub.3 O.sub.5
--ZrO.sub.2 --Al.sub.3 O.sub.5, the second high-k dielectric film is
aluminum doped ZrO.sub.2 or HfO.sub.2.
Uma camada (IPD) dieléctrica poly inter nova é fornecida para o uso em criar os elétrodos de porta ultra-pequenos. Uma primeira e segunda película dieléctrica elevada-k é fornecida que remanesçam amorfa em temperaturas processando relativamente altas. A primeira película dieléctrica elevada-k é de Al.sub.3 O.sub.5 -- ZrO.sub.2 -- Al.sub.3 O.sub.5, a segunda película dieléctrica elevada-k é ZrO.sub.2 ou HfO.sub.2 doped alumínio.
