Structures and methods for memory cells having a volatile and a
non-volatile component in a single memory cell are provided. The memory
cell includes a first source/drain region and a second source/drain region
separated by a channel region in a substrate. A storage capacitor is
coupled to one of the first and the second source/drain regions. A
floating gate opposes the channel region and separated therefrom by a gate
oxide. A control gate opposes the floating gate. The control gate is
separated from the floating gate by a low tunnel barrier intergate
insulator. The memory cell is adapted to operate in a first and a second
mode of operation. The first mode of operation is a dynamic mode of
operation and the second mode of operation is a repressed memory mode of
operation.
Las estructuras y los métodos para las células de memoria que tienen un componente volátil y permanente en una sola célula de memoria se proporcionan. La célula de memoria incluye una primera región de source/drain y una segunda región de source/drain separadas por una región del canal en un substrato. Un condensador del almacenaje se junta a uno del primer y a las segundo regiones de source/drain. Una puerta flotante opone la región del canal y separada therefrom por un óxido de la puerta. Una puerta del control opone la puerta flotante. La puerta del control es separada de la puerta flotante por un aislador bajo del intergate de la barrera del túnel. La célula de memoria se adapta para funcionar en un primer y segundo modo de operación. El primer modo de operación es un modo de operación dinámico y el segundo modo de operación es un modo de operación reprimido de la memoria.
