Lanthanum oxide-based gate dielectrics are provided for integrated circuit
field effect transistors. The gate dielectrics may include lanthanum
oxide, preferably amorphous lanthanum oxide and/or an alloy of lanthanum
oxide and silicon oxide, such as lanthanum silicate (La.sub.2 SiO.sub.5).
Lanthanum oxide-based gate dielectrics may be fabricated by evaporating
lanthanum on a silicon surface of an integrated circuit substrate. The
lanthanum may be evaporated in the presence of oxygen. Lanthanum and
silicon may be co-evaporated. An anneal then may be performed. Lanthanum
oxide-based dielectrics also may be used for integrated circuit
capacitors.
Окис-osnovannye лантаном dielectrics строба обеспечены для транзисторов влияния поля интегрированной цепи. Dielectrics строба могут включить окись лантана, предпочтительн аморфическую окись лантана and/or сплав окиси лантана и окиси кремния, such as силикат лантана (La.sub.2 SiO.sub.5). Окис-osnovannye лантаном dielectrics строба могут быть изготовлены путем испарять лантан на поверхности кремния субстрата интегрированной цепи. Лантан может быть испарен in the presence of кислород. Лантан и кремний могут быт6$ет-испарены. Обжигать после этого может быть выполнено. Dielectrics окис-osnovannye лантаном также могут быть использованы для конденсаторов интегрированной цепи.
