A gate structure which includes a semiconductor substrate having a channel
region, a gate insulator adjacent the channel region of the semiconductor
substrate and a conductible gate adjacent the gate insulator. A primary
insulation layer is adjacent the semiconductor substrate, the primary
insulation layer having an opening where the gate insulator contacts the
semiconductor substrate and an isolation dielectric layer adjacent the
primary insulation layer, the isolation dielectric layer having an opening
where the conductible gate is located and the isolation dielectric layer
having a silicon oxynitride material.
Een poortstructuur die een halfgeleidersubstraat omvat dat een kanaalgebied, een poortisolatie adjacent het kanaalgebied van het halfgeleidersubstraat en een geleidende poort adjacent de poortisolatie heeft. Een primaire isolatielaag is adjacent het halfgeleidersubstraat, de primaire isolatielaag die het openen heeft waar de poortisolatie het halfgeleidersubstraat en een isolatie diëlektrische laag adjacent de primaire isolatielaag contacteert, de isolatie diëlektrische laag die het openen heeft waar de geleidende poort en de isolatie diëlektrische laag gevestigd wordt die een siliciumoxynitride materiaal heeft.
