Cross point memory array using multiple thin films. The invention is a
cross point memory array that uses conductive array lines and multiple
thin films as a memory plug. The thin films of the memory plug include a
memory element and a non-ohmic device. The memory element switches between
resistive states upon application of voltage pulses and the non-ohmic
device imparts a relatively high resistance to the memory plug upon
application of low magnitude voltages.
Arsenal de la memoria del punto cruzado usando las películas finas múltiples. La invención es un arsenal de la memoria del punto cruzado que utiliza líneas conductoras del arsenal y las películas finas múltiples como memoria tapan. Las películas finas del enchufe de la memoria incluyen un elemento de la memoria y un dispositivo no-o'hmico. El elemento de la memoria cambia entre los estados resistentes sobre el uso de los pulsos de voltaje y el dispositivo no-o'hmico imparte una resistencia relativamente alta al enchufe de la memoria sobre el uso de los voltajes bajos de la magnitud.
