High density magnetic random access memory (MRAM) is disclosed. In the
MRAM, by using the multi-layered magnetic materials with different
resistance characteristics, the magnetic tunnel junction (MTJ) cells are
connected in parallel or in series, which are connected to a transistor,
so as to be a control element for reading data without complicated reading
procedure and timing, resulting in high density package of MRAM.
Памяти случайного доступа высокой плотности магнитный (MRAM) показан. В MRAM, путем использование multi-layered магнитных материалов с по-разному характеристиками сопротивления, магнитными клетками соединения тоннеля (MTJ) подключены параллельно или в сериях, которые подключены к транзистору, для того чтобы быть элемент управления для данных по чтения без осложненной процедуры по и времени чтения, resulting in высокий пакет плотности MRAM.
