An MIM capacitor with low leakage and high capacitance is disclosed. A
layer of titanium nitride (TiN) or boron-doped titanium nitride (TiBN)
material is formed as a lower electrode over an optional capacitance layer
of hemispherical grained polysilicon (HSG). Prior to the dielectric
formation, the first layer may be optionally subjected to a nitridization
or oxidation process. A dielectric layer of, for example, aluminum oxide
(Al.sub.2 O.sub.3) formed by atomic layer deposition (ALD) is fabricated
over the first layer and after the optional nitridization or oxidation
process. An upper electrode of titanium nitride (TiN) or boron-doped
titanium nitride (TiBN) is formed over the dielectric layer.
Um capacitor MIM com escapamento baixo e capacidade elevada é divulgado. Uma camada do nitride titanium (lata) ou de material titanium boro-boron-doped do nitride (TiBN) é dada forma como um elétrodo mais baixo sobre uma camada opcional da capacidade do polysilicon grained hemispherical (HSG). Antes da formação dieléctrica, a primeira camada pode opcionalmente ser sujeitada a um processo do nitridization ou da oxidação. Uma camada dieléctrica de, para o exemplo, o óxido de alumínio (Al.sub.2 O.sub.3) dado forma pelo deposition atômico da camada (ALD) é excesso fabricado a primeira camada e após o processo opcional do nitridization ou da oxidação. Um elétrodo superior do nitride titanium (lata) ou do nitride titanium boro-boron-doped (TiBN) é dado forma sobre a camada dieléctrica.
