A method of manufacturing a thin film transistor (TFT) is disclosed
comprising source and drain electrodes joined by a semiconductor channel
layer, a gate insulating layer formed from at least two sublayers and a
gate electrode. The method comprising the steps of forming the gate
insulating layer by depositing a thin film sublayer using a thin film
technique; and depositing a printed sublayer by printing, wherein the thin
film sublayer is located adjacent the semiconductor channel layer. The TFT
may be a top gate TFT wherein the thin film sublayer is formed on the
semiconductor channel layer, and wherein the printed sublayer is formed
over the thin film sublayer. Alternatively, the TFT may be a bottom gate
TFT wherein the printed sublayer is formed over the gate electrode;
wherein the thin film sublayer is formed over the printed sublayer, and
wherein the semiconductor channel layer is formed on the thin film
sublayer.
Eine Methode der Produktion eines Dünnfilmtransistors (TFT) wird die Quelle und Abflußelektroden enthalten freigegeben, die durch eine Halbleiterführung verbunden werden, überlagern, eine Isolierschicht des Gatters, die von mindestens zwei Teilschichten gebildet werden und eine Gate-Elektrode. Die Methode, welche die Schritte von der Formung der Isolierschicht des Gatters durch das Niederlegen einer Dünnfilmteilschicht mit einer Dünnfilmtechnik enthält; und eine gedruckte Teilschicht durch den Druck niederlegend, worin die Dünnfilmteilschicht die Halbleiterführung Schicht lokalisiertes angrenzendes ist. Das TFT kann ein oberes Gatter TFT sein, worin die Dünnfilmteilschicht auf der Halbleiterführung Schicht gebildet wird und worin die gedruckte Teilschicht über der Dünnfilmteilschicht gebildet wird. Wechselweise kann das TFT ein unteres Gatter TFT sein, worin die gedruckte Teilschicht über der Gate-Elektrode gebildet wird; worin die Dünnfilmteilschicht gebildeter Überschuß die gedruckte Teilschicht ist und worin die Halbleiterführung Schicht auf der Dünnfilmteilschicht gebildet wird.
