A single crystal of quartz thin film and a production method therefor are
provided. A method for producing a quartz epitaxial thin film comprises
the steps of vaporizing a silicon alkoxide as a silicon source under
atmospheric pressure to introduce the silicon alkoxide to a substrate with
hydrogen chloride as a reaction promoter, and reacting ethyl silicate with
oxygen to deposit a quartz on the substrate. The single crystal of quartz
thin film has excellent crystalinity, and optical properties.
Одиночный кристалл пленки кварца тонкой и способа производства therefor обеспечены. Метод для производить пленку кварца эпитаксиальную тонкую состоит из шагов испарять алкоксид кремния как источник кремния под атмосферным давлением ввести алкоксид кремния к субстрату с хлоридом водопода как promoter реакции, и реагировать этиловый силикат с кислородом для того чтобы депозировать кварц на субстрате. Одиночный кристалл пленки кварца тонкой имеет превосходное crystalinity, и оптически свойства.
