Crystal thin film and production method therefor

   
   

A single crystal of quartz thin film and a production method therefor are provided. A method for producing a quartz epitaxial thin film comprises the steps of vaporizing a silicon alkoxide as a silicon source under atmospheric pressure to introduce the silicon alkoxide to a substrate with hydrogen chloride as a reaction promoter, and reacting ethyl silicate with oxygen to deposit a quartz on the substrate. The single crystal of quartz thin film has excellent crystalinity, and optical properties.

Одиночный кристалл пленки кварца тонкой и способа производства therefor обеспечены. Метод для производить пленку кварца эпитаксиальную тонкую состоит из шагов испарять алкоксид кремния как источник кремния под атмосферным давлением ввести алкоксид кремния к субстрату с хлоридом водопода как promoter реакции, и реагировать этиловый силикат с кислородом для того чтобы депозировать кварц на субстрате. Одиночный кристалл пленки кварца тонкой имеет превосходное crystalinity, и оптически свойства.

 
Web www.patentalert.com

< High temperature superconducting composite conductors

< Method of manufacturing a transistor

> Circuit structure, manufacturing method thereof and wiring structure

> Method and materials for patterning of an amorphous, non-polymeric, organic matrix with electrically active material disposed therein

~ 00156