Ohmic contact formation on p-type Silicon Carbide is disclosed. The formed
contact includes an initial amorphous Carbon film layer converted to
graphitic sp.sup.2 Carbon during an elevated temperature annealing
sequence. Decreased annealing sequence temperature, reduced Silicon
Carbide doping concentration and reduced specific resistivity in the
formed ohmic contact are achieved with respect to a conventional p-type
Silicon Carbide ohmic contact. Addition of a Boron carbide layer covering
the p-type Silicon Carbide along with the sp.sup.2 Carbon is also
disclosed. Ohmic contact improvement with increased annealing temperature
up to an optimum temperature near 1000.degree. C. is included. Addition of
several metals including Aluminum, the optimum metal identified, over the
Carbon layer is also included; many other of the identified metals provide
Schottky rather than the desired ohmic contacts, however.
Ohmsche Kontaktanordnung auf Part Silikon-Karbid wird freigegeben. Der gebildete Kontakt schließt eine formlose Carbonfilmzuerstschicht ein, die in graphitic Carbon sp.sup.2 während einer erhöhten Temperaturausglühenreihenfolge umgewandelt wird. Verringerte tempernde Reihenfolge Temperatur, verringerte lackierende Konzentration des Silikon-Karbids und verringerte spezifische Widerstandskraft im gebildeten ohmschen Kontakt werden in Bezug auf eine herkömmliche Part ohmscher Kontakt des Silikon-Karbids erzielt. Hinzufügung einer Borkarbidschicht, welche die Part Silikon-Karbid zusammen mit dem Carbon sp.sup.2 umfaßt, wird auch freigegeben. Ohmsche Kontaktverbesserung mit erhöhter tempernder Temperatur bis zu einer optimalen Temperatur nahe 1000.degree. C. ist enthalten. Hinzufügung einiger Metalle einschließlich Aluminium, das optimale gekennzeichnete Metall, über der Carbonschicht ist auch eingeschlossen; viel anderes der gekennzeichneten Metalle liefern Schottky anstatt die gewünschten ohmschen Kontakte, jedoch.
