Provided is a semiconductor device using an SOI substrate which can
suppress a leakage current with the potential of a channel formation
region fixed. Specifically, by an FTI (26) an SOI substrate (14) is
divided into a PMOS formation region and an NMOS formation region. The FTI
(26) extends from the upper surface of a silicon layer (17) to the upper
surface of a BOX layer (16). A body contact region (9) is selectively
formed in an upper surface of the silicon substrate (14). The body contact
region (9) and a channel formation region (4p) are isolated from each
other, by a PTI (31). An N.sup.+ type channel stopper layer (30) is formed
in the portion of the silicon layer (14) which is sandwiched between the
bottom surface of the PTI (31) and the upper surface of the BOX layer
(16). The body contact region (9) and the channel formation region (4p)
are electrically connected to each other, through the channel stopper
layer (30).
При условии прибора на полупроводниках использующ субстрат SOI может подавить течение утечки с потенциалом зафиксированной зоны образования канала. Специфически, FTI (26) субстрат SOI (14) разделен в зону образования pmos и зону образования nmos. FTI (26) удлиняет от верхней поверхности слоя кремния (1ъ) к верхней поверхности слоя КОРОБКИ (16). Зона контакта тела (9) селективно сформирована в верхней поверхности субстрата кремния (14). Зона контакта тела (9) и зона образования канала (4p) изолированы от себя, PTI (31). Слой затвора канала типа N.sup.+ (30) сформирован в части слоя кремния (14) прослоен между нижней поверхностью PTI (31) и верхней поверхностью слоя КОРОБКИ (16). Зона контакта тела (9) и зона образования канала (4p) электрически подключены to each other, через слой затвора канала (30).
