The invention relates to a thermoelectric element comprising at least one
n-type layer (1) and at least one p-type layer (2) of one or more doped
semiconductors, whereby the n-type layer(s) (2) are arranged to form at
least one pn-type junction (3). At least one n-type layer (1) and at least
one p-type (2) are contacted in an electrically selective manner, and a
temperature gradient (T.sub.1, T.sub.2) is applied or tapped parallel
(x-direction) to the boundary layer (3) between at the least one n-type
layer (1) and p-type layer (2). At least one pn-type junction is formed
essentially along the entire, preferably longest, extension of the n-type
layer(s) (1) and the p-type layer(s) (2) and, thus, essentially along the
entire boundary layer (3) thereof.
L'invenzione riguarda un elemento termoelettrico che contiene almeno un n-tipo lo strato (1) ed almeno un p-tipo lo strato (2) uno o più semiconduttori verniciati, per cui il n-tipo il layer(s) (2) è organizzato per formare almeno un PN-TIPO la giunzione (3). Almeno un n-tipo lo strato (1) ed almeno un p-tipo (2) si mettono in contatto con in un modo elettricamente selettivo e una pendenza di temperatura (T.sub.1, T.sub.2) è applicata o parallelo colpito (x-senso) allo strato di contorno (3) in mezzo al meno un n-tipo lo strato (1) ed al p-tipo lo strato (2). Almeno un PN-TIPO giunzione è formato essenzialmente lungo l'intero, preferibilmente più lungo, l'estensione del n-tipo il layer(s) (1) ed il p-tipo il layer(s) (2) e, così, essenzialmente lungo l'intero strato di contorno (3) di ciò.
